台积电:我能造1000W功耗巨型芯片!功能飙升40倍
现在的台积高端核算芯片越来越巨大,台积电也在想尽办法应对,功耗功现在正在深化推动CoWoS封装技能,巨型声称能够打造面积挨近8000平方毫米、芯片功耗1000W等级的飙升倍巨型芯片,而功能可比规范处理器高出足足40倍。台积
现在,功耗功台积电CoWoS封装芯片的巨型中介层面积最大能够做到2831平方毫米,是芯片台积电光罩尺度极限的大约3.3倍。——EUV极紫外光刻下的飙升倍光罩最大能够做到858平方毫米,台积电用的台积是830平方毫米。
NVIDIA B200、功耗功AMD MI300X等芯片,巨型用的芯片都是这种封装,将大型核算模块和多个HBM内存芯片整合在一起。飙升倍

下一年或稍晚些时候,台积电会推出下一代CoWoS-L封装技能,中介层面积能够做到4719平方毫米,是光罩极限的大约5.5倍,一起需求10000平方毫米(100x100毫米)的大型基板。
它能够整合最多12颗HBM内存,包含下一代HBM4。
这还不算完,台积电还方案进一步将中介层做到7885平方毫米,也便是光照极限的约9.5倍,并需求18000平方毫米的基板,然后封装最多4颗核算芯片、12颗HBM内存,以及其他IP。
要知道,这现已超过了一个规范的CD光盘盒(一般142×125毫米)!。
依然没完,台积电还在持续研讨SoW-X晶圆级封装技能,现在只要Cerabras、特斯拉运用。

如此巨型芯片除了需求杂乱的封装技能,更会带来高功耗、高发热的应战,台积电估计能到达1000W等级。
为此,台积电方案在CoWoS-L封装内的RDL中介层上,直接集成一整颗电源办理IC,然后缩短供电间隔,削减有源IC数量,下降寄生电阻,改善体系级供电功率。
这颗电源办理IC会运用台积电N16工艺、TSV硅通孔技能制作。
散热方面,直触式液冷、浸没式液冷,都是必需求考虑的。
别的,OAM 2.0模块形状的尺度为102×165毫米,100×100毫米基板现已挨近极限,120×150毫米就超过了,因而。需求职业同步拟定新的OAM形状规范。


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